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SUD23N06-31-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 9.1 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSUD23N06-31-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo29X0559
Rodo à Medida16P3889RL
Segmento de fita16P3889
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
2,000 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.340 | $ 1.34 |
| Total Preço | $ 1.34 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.340 |
| 10+ | $ 0.941 |
| 25+ | $ 0.873 |
| 50+ | $ 0.805 |
| 100+ | $ 0.737 |
| 250+ | $ 0.736 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.440 |
| 4000+ | $ 0.395 |
| 6000+ | $ 0.381 |
| 10000+ | $ 0.373 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSUD23N06-31-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo29X0559
Rodo à Medida16P3889RL
Segmento de fita16P3889
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id9.1A
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd5.7W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCLead
Descrição geral do produto
The SUD23N06-31-GE3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC Converter applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.1A
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5.7W
Power Dissipation
5.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para SUD23N06-31-GE3
4 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto