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Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSST174-E3Cópia
Código Newark06J8317
Ficha técnica
Breakdown Voltage Vbr30V
Gate Source Breakdown Voltage Max30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min-20mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max-135mA
Gate Source Cutoff Voltage Max10V
Transistor Case StyleTO-236
Transistor TypeJFET
Channel TypeP Channel
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The SST174-E3 is a P-channel JFET designed to provide low ON-resistance and fast switching. It simplifies series-shunt switching applications when combined with the Siliconix J/SST111 series. It is designed for use with analogue switches, choppers, sample-and-hold, normally ON switches and current limiters applications.
- Low insertion loss
- Low error voltage
- High-speed analogue circuit performance
- Negligible OFF-error, excellent accuracy
- Good frequency response
- Eliminates additional buffering
- 25ns Fast switching
- 10pA Low leakage
- 5pF Low capacitance
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Breakdown Voltage Vbr
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
-20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
10V
Transistor Type
JFET
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Gate Source Breakdown Voltage Max
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-135mA
Transistor Case Style
TO-236
Channel Type
P Channel
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
