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SQUN702E-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, N Channel, 200 V, 200 V, 30 A, 30 A, 0.0077 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQUN702E-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AH1124RL
Segmento de fita10AH1124
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 23 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.490 | $ 3.49 |
| Total Preço | $ 3.49 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.490 |
| 50+ | $ 3.050 |
| 100+ | $ 2.530 |
| 250+ | $ 2.270 |
| 500+ | $ 2.090 |
| 1000+ | $ 1.950 |
| 2500+ | $ 1.850 |
| 5000+ | $ 1.810 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQUN702E-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AH1124RL
Segmento de fita10AH1124
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel, N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel200V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source Voltage Vds P Channel200V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel7700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel7700µohm
Transistor Case Style-
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel60W
Power Dissipation P Channel60W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel, N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source Voltage Vds P Channel
200V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
7700µohm
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
60W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
200V
Drain Source Voltage Vds
200V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
7700µohm
Transistor Case Style
-
Power Dissipation N Channel
60W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto