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SQSA82CENW-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 80V, 16A, POWERPAK 1212-8W
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQSA82CENW-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62AK0144RL
Segmento de fita62AK0144
Gama de produtosTrenchFET Series
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5,639 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.030 | $ 1.03 |
| Total Preço | $ 1.03 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.030 |
| 10+ | $ 0.639 |
| 25+ | $ 0.564 |
| 50+ | $ 0.490 |
| 100+ | $ 0.416 |
| 250+ | $ 0.368 |
| 500+ | $ 0.319 |
| 1000+ | $ 0.288 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQSA82CENW-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62AK0144RL
Segmento de fita62AK0144
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8W
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation27W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8W
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto