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SQS966ENW-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.036 ohm
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQS966ENW-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7674
Rodo à Medida81AC2830RL
Segmento de fita81AC2830
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
8,228 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.750 | $ 1.75 |
| Total Preço | $ 1.75 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.750 |
| 50+ | $ 1.120 |
| 100+ | $ 0.746 |
| 250+ | $ 0.667 |
| 500+ | $ 0.588 |
| 1000+ | $ 0.537 |
| 2500+ | $ 0.504 |
| 5000+ | $ 0.471 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.674 |
| 4000+ | $ 0.622 |
| 6000+ | $ 0.605 |
| 10000+ | $ 0.595 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQS966ENW-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7674
Rodo à Medida81AC2830RL
Segmento de fita81AC2830
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id6A
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.036ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.028ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27.8W
Power Dissipation P Channel27.8W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.028ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27.8W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.036ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
27.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SQS966ENW-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto