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SQS481ENW-T1_GE3
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, POWERPAK 1212
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.640 | $ 1.64 |
| Total Preço | $ 1.64 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.640 |
| 50+ | $ 1.040 |
| 100+ | $ 0.691 |
| 250+ | $ 0.617 |
| 500+ | $ 0.543 |
| 1000+ | $ 0.495 |
| 2500+ | $ 0.464 |
| 5000+ | $ 0.433 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQS481ENW-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida15AC8701RL
Segmento de fita15AC8701
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id4.7A
On Resistance Rds(on)0.91ohm
Drain Source On State Resistance1.095ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd62.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.91ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
62.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
Drain Source On State Resistance
1.095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Alternativas para SQS481ENW-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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