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SQS460EN-T1_BE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 8 A, 30 mohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQS460EN-T1_BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo78AH6672
Segmento de fita82AH6212
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 18 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.528 | $ 1,584.00 |
| Total Preço | $ 1,584.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.528 |
| 6000+ | $ 0.517 |
| 9000+ | $ 0.507 |
| 15000+ | $ 0.496 |
| 30000+ | $ 0.486 |
| 75000+ | $ 0.475 |
| 150000+ | $ 0.465 |
| 300000+ | $ 0.454 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.528 |
| 9000+ | $ 0.517 |
| 15000+ | $ 0.507 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQS460EN-T1_BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo78AH6672
Segmento de fita82AH6212
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance30mohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation39W
Power Dissipation Pd39W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeTrenchFET Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
39W
No. of Pins
8Pins
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
39W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto