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SQS181ELNW-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 44 A, 0.031 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQS181ELNW-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78AK8593RL
Segmento de fita78AK8593
Gama de produtosTrenchFET Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.120 | $ 2.12 |
| Total Preço | $ 2.12 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.120 |
| 10+ | $ 1.430 |
| 25+ | $ 1.290 |
| 50+ | $ 1.150 |
| 100+ | $ 1.010 |
| 250+ | $ 0.927 |
| 500+ | $ 0.840 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQS181ELNW-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78AK8593RL
Segmento de fita78AK8593
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8SLW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation119W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8SLW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
119W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto