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SQM120P10_10M1LGE3
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 120 A, 0.0101 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQM120P10_10M1LGE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark20AC4054
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.580 |
| 10+ | $ 3.100 |
| 25+ | $ 2.720 |
| 50+ | $ 2.550 |
| 100+ | $ 2.210 |
| 250+ | $ 1.850 |
| 500+ | $ 1.790 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.58
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQM120P10_10M1LGE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark20AC4054
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.0101ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0101ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SQM120P10_10M1LGE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto