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SQM120N06-3M5L_GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, 175DEG C, 375W
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.700 | $ 5.70 |
| Total Preço | $ 5.70 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.700 |
| 10+ | $ 3.790 |
| 25+ | $ 3.430 |
| 50+ | $ 3.070 |
| 100+ | $ 2.710 |
| 250+ | $ 2.500 |
| 500+ | $ 2.290 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQM120N06-3M5L_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rodo à Medida75AH9228RL
Segmento de fita75AH9228
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation375W
Power Dissipation Pd375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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