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SQJQ112ER-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 296 A, 2530 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJQ112ER-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark80AK5315
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 38 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.900 |
| 10+ | $ 4.170 |
| 25+ | $ 3.840 |
| 50+ | $ 3.520 |
| 100+ | $ 3.190 |
| 250+ | $ 3.040 |
| 500+ | $ 2.890 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.90
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJQ112ER-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark80AK5315
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id296A
Drain Source On State Resistance2530µohm
Transistor Case StylePowerPAK 8 x 8LR
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation600W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
296A
Transistor Case Style
PowerPAK 8 x 8LR
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2530µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto