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SQJA80EP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 80V, 60A, POWERPAK SO
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.180 | $ 2.18 |
| Total Preço | $ 2.18 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.180 |
| 50+ | $ 1.180 |
| 100+ | $ 0.858 |
| 250+ | $ 0.769 |
| 500+ | $ 0.679 |
| 1000+ | $ 0.662 |
| 2500+ | $ 0.644 |
| 5000+ | $ 0.627 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJA80EP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ0698RL
Segmento de fita57AJ0698
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Drain Source On State Resistance7000µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd68W
Power Dissipation68W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
68W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
7000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SQJA80EP-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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