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SQJ912DEP-T1_GE3
DUAL MOSFET/N-CH/40V/30A, POWERPAK SO-8L
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ912DEP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida93AH0483RL
Segmento de fita93AH0483
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 38 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.660 | $ 1.66 |
| Total Preço | $ 1.66 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.660 |
| 50+ | $ 1.050 |
| 100+ | $ 0.700 |
| 250+ | $ 0.625 |
| 500+ | $ 0.550 |
| 1000+ | $ 0.502 |
| 2500+ | $ 0.471 |
| 5000+ | $ 0.440 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ912DEP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida93AH0483RL
Segmento de fita93AH0483
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel5900µohm
Drain Source On State Resistance P Channel5900µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27W
Power Dissipation P Channel27W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
5900µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
30A
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
5900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto