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SQJ840EP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 30A, POWERPAK SO
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ840EP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo76Y1542
Rodo à Medida26AK5827RL
Segmento de fita26AK5827
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 19 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.930 | $ 2.93 |
| Total Preço | $ 2.93 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.930 |
| 10+ | $ 1.880 |
| 25+ | $ 1.690 |
| 50+ | $ 1.480 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 1.180 |
| 4000+ | $ 1.090 |
| 6000+ | $ 1.060 |
| 10000+ | $ 1.030 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ840EP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo76Y1542
Rodo à Medida26AK5827RL
Segmento de fita26AK5827
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Drain Source On State Resistance9300µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation46W
Power Dissipation Pd46W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
46W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
9300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
46W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SQJ840EP-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto