Imprimir página
SQJ570EP-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 100 V, 100 V, 15 A, 9.5 A, 0.0365 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ570EP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo20AC4037
Segmento de fita15AN1347
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.495 | $ 1,485.00 |
| Total Preço | $ 1,485.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.495 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.714 |
| 4000+ | $ 0.659 |
| 6000+ | $ 0.641 |
| 10000+ | $ 0.631 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ570EP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo20AC4037
Segmento de fita15AN1347
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel15A
Continuous Drain Current Id P Channel9.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0365ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.146ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27W
Power Dissipation P Channel27W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
9.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.146ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
15A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0365ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (1)
Alternativas para SQJ570EP-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto