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SQJ422EP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 75A, POWERPAK SO
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ422EP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo76Y1532
Rodo à Medida26AK5825RL
Segmento de fita26AK5825
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
2,996 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.660 | $ 2.66 |
| Total Preço | $ 2.66 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.660 |
| 10+ | $ 1.720 |
| 25+ | $ 1.530 |
| 50+ | $ 1.360 |
| 100+ | $ 1.170 |
| 250+ | $ 1.050 |
| 500+ | $ 0.935 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 1.120 |
| 4000+ | $ 1.030 |
| 6000+ | $ 1.000 |
| 10000+ | $ 0.986 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ422EP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo76Y1532
Rodo à Medida26AK5825RL
Segmento de fita26AK5825
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance3400µohm
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd83W
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
83W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SQJ422EP-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto