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SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, POWERPAK SO
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ200EP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo20AC4016
Rodo à Medida33AC3170RL
Segmento de fita33AC3170
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
2,478 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.830 | $ 1.83 |
| Total Preço | $ 1.83 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.830 |
| 50+ | $ 1.170 |
| 100+ | $ 0.780 |
| 250+ | $ 0.698 |
| 500+ | $ 0.616 |
| 1000+ | $ 0.564 |
| 2500+ | $ 0.530 |
| 5000+ | $ 0.496 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.714 |
| 4000+ | $ 0.659 |
| 6000+ | $ 0.641 |
| 10000+ | $ 0.631 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ200EP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo20AC4016
Rodo à Medida33AC3170RL
Segmento de fita33AC3170
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id60A
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel3100µohm
Drain Source On State Resistance P Channel3100µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
60A
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
3100µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
3100µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SQJ200EP-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto