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SQJ174EP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 293A, POWERPAK SO
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.060 | $ 3.06 |
| Total Preço | $ 3.06 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.060 |
| 10+ | $ 2.080 |
| 25+ | $ 1.890 |
| 50+ | $ 1.700 |
| 100+ | $ 1.510 |
| 250+ | $ 1.390 |
| 500+ | $ 1.280 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ174EP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ5717RL
Segmento de fita57AJ5717
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id293A
Drain Source On State Resistance2900µohm
On Resistance Rds(on)0.00235ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd500W
Power Dissipation500W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
500W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
293A
On Resistance Rds(on)
0.00235ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
500W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto