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SQJ146ELP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 88A, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ146ELP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark91AH9093
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.560 |
| 10+ | $ 1.030 |
| 25+ | $ 0.925 |
| 50+ | $ 0.824 |
| 100+ | $ 0.723 |
| 250+ | $ 0.658 |
| 500+ | $ 0.592 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.56
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQJ146ELP-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark91AH9093
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id88A
On Resistance Rds(on)0.0043ohm
Drain Source On State Resistance5800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation75W
Power Dissipation Pd75W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0043ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
88A
Drain Source On State Resistance
5800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto