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SQ4917CEY-T1_GE3
Dual MOSFET, Dual P Channel, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ4917CEY-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62AK0149RL
Segmento de fita62AK0149
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.150 | $ 2.15 |
| Total Preço | $ 2.15 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.150 |
| 50+ | $ 1.350 |
| 100+ | $ 0.830 |
| 250+ | $ 0.744 |
| 500+ | $ 0.658 |
| 1000+ | $ 0.602 |
| 2500+ | $ 0.545 |
| 5000+ | $ 0.535 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ4917CEY-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62AK0149RL
Segmento de fita62AK0149
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0421ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0421ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel5W
Power Dissipation P Channel5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0421ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
5W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0421ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto