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SQ4532AEY-T1_BE3
Dual MOSFET, N and P Channel, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ4532AEY-T1_BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark78AH6714
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 19 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.534 |
| 5000+ | $ 0.522 |
| 10000+ | $ 0.483 |
| 20000+ | $ 0.449 |
| 30000+ | $ 0.419 |
| 50000+ | $ 0.401 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 1,335.00
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ4532AEY-T1_BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark78AH6714
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id7.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel7.3A
Continuous Drain Current Id P Channel7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.3W
Power Dissipation P Channel3.3W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead
Descrição geral do produto
Notas
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Especificações Técnicas
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.3W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
7.3A
Continuous Drain Current Id N Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (2)
Alternativas para SQ4532AEY-T1_BE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto