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SQ4282EY-T1_GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 8A, SOIC
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ4282EY-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo20AC4113
Rodo à Medida26AK5831RL
Segmento de fita26AK5831
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
839 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.390 | $ 2.39 |
| Total Preço | $ 2.39 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.390 |
| 50+ | $ 1.540 |
| 100+ | $ 1.050 |
| 250+ | $ 1.020 |
| 500+ | $ 0.998 |
| 1000+ | $ 0.972 |
| 2500+ | $ 0.946 |
| 5000+ | $ 0.920 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 1.030 |
| 4000+ | $ 0.949 |
| 6000+ | $ 0.924 |
| 10000+ | $ 0.909 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ4282EY-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo20AC4113
Rodo à Medida26AK5831RL
Segmento de fita26AK5831
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id8A
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.01ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.9W
Power Dissipation P Channel3.9W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.9W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.9W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (1)
Alternativas para SQ4282EY-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto