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SQ3987EV-T1_GE3
MOSFET, AEC-Q101, DUAL P-CH, -30V, -3A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ3987EV-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7679
Rodo à Medida81AC2831RL
Segmento de fita81AC2831
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
3,037 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.140 | $ 5.70 |
| Total Preço | $ 5.70 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.140 |
| 50+ | $ 0.712 |
| 100+ | $ 0.466 |
| 250+ | $ 0.414 |
| 500+ | $ 0.362 |
| 1000+ | $ 0.356 |
| 2500+ | $ 0.351 |
| 5000+ | $ 0.345 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.403 |
| 5000+ | $ 0.396 |
| 10000+ | $ 0.373 |
| 20000+ | $ 0.353 |
| 30000+ | $ 0.335 |
| 50000+ | $ 0.324 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ3987EV-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7679
Rodo à Medida81AC2831RL
Segmento de fita81AC2831
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.085ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.67W
Power Dissipation P Channel1.67W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.085ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.67W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.085ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
1.67W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SQ3987EV-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto