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SQ3493EV-T1_GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 8A, TSOP
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.230 | $ 1.23 |
| Total Preço | $ 1.23 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.230 |
| 50+ | $ 0.770 |
| 100+ | $ 0.507 |
| 250+ | $ 0.450 |
| 500+ | $ 0.393 |
| 1000+ | $ 0.357 |
| 2500+ | $ 0.333 |
| 5000+ | $ 0.309 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ3493EV-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida81AH9291RL
Segmento de fita81AH9291
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.021ohm
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation5W
Power Dissipation Pd5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
5W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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