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SQ3419AEEV-T1_GE3
MOSFET, P-CH, 40V, 6.9A, TSOP
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.230 | $ 1.23 |
| Total Preço | $ 1.23 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.230 |
| 50+ | $ 0.777 |
| 100+ | $ 0.512 |
| 250+ | $ 0.455 |
| 500+ | $ 0.397 |
| 1000+ | $ 0.360 |
| 2500+ | $ 0.356 |
| 5000+ | $ 0.352 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ3419AEEV-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ0726RL
Segmento de fita57AJ0726
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id6.9A
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Drain Source On State Resistance0.061ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation5W
Power Dissipation Pd5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.9A
Drain Source On State Resistance
0.061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SQ3419AEEV-T1_GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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