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SQ2389ES-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, -40 V, -4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.310 | $ 1.31 |
| Total Preço | $ 1.31 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.310 |
| 10+ | $ 0.835 |
| 25+ | $ 0.756 |
| 50+ | $ 0.678 |
| 100+ | $ 0.599 |
| 250+ | $ 0.545 |
| 500+ | $ 0.490 |
| 1000+ | $ 0.451 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ2389ES-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida96Y9640RL
Segmento de fita96Y9640
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.1A
Drain Source On State Resistance0.094ohm
On Resistance Rds(on)0.094ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
- Automotive P-channel 40V (D-S) 175°C TrenchFET® power MOSFET
- AEC-Q101 qualified, 100 % Rg and UIS tested, single configuration
- Minimum drain-source voltage is -40V (VGS = 0V, ID = -250μA, TC = 25°C)
- 0.094 maximum drain-source on-state resistance (VGS = -10V, ID = -3A)
- Continuous drain current is -4.1A (TC = 25°C)
- Maximum Gate-source leakage is ±100nA (VDS = 0V, VGS = ±20V, TC = 25°C)
- 360pF input capacitance typical (VGS = 0V, VDS = -20V, f = 1MHz)
- Gate resistance range from 3.1 to 7ohm (f = 1MHz, TC = 25°C)
- 7ns turn-on delay time typical (VDD = -20V, RL = 6.7ohm ID ≅ -3A, VGEN = -10V, Rg = 1ohm)
- SOT-23 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.094ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.1A
On Resistance Rds(on)
0.094ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3W
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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