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SQ2319ADS-T1_BE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ2319ADS-T1_BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo78AH6681
Rodo à Medida80AH8964RL
Segmento de fita80AH8964
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
13,732 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.040 | $ 1.04 |
| Total Preço | $ 1.04 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.040 |
| 50+ | $ 0.614 |
| 100+ | $ 0.411 |
| 250+ | $ 0.376 |
| 500+ | $ 0.341 |
| 1000+ | $ 0.308 |
| 2500+ | $ 0.282 |
| 5000+ | $ 0.256 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.256 |
| 9000+ | $ 0.244 |
| 15000+ | $ 0.239 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ2319ADS-T1_BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo78AH6681
Rodo à Medida80AH8964RL
Segmento de fita80AH8964
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.6A
On Resistance Rds(on)0.068ohm
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Descrição geral do produto
Notas
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.068ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.6A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto