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SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 141A, 150DEG C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZF300DT-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante25 semanas
Código Newark
Rodo à Medida80AH2417RL
Segmento de fita80AH2417
Gama de produtosTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.860 | $ 1.86 |
| Total Preço | $ 1.86 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.860 |
| 50+ | $ 1.230 |
| 100+ | $ 0.903 |
| 250+ | $ 0.822 |
| 500+ | $ 0.740 |
| 1000+ | $ 0.648 |
| 2500+ | $ 0.591 |
| 5000+ | $ 0.534 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZF300DT-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante25 semanas
Código Newark
Rodo à Medida80AH2417RL
Segmento de fita80AH2417
Gama de produtosTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id141A
Continuous Drain Current Id N Channel141A
Continuous Drain Current Id P Channel141A
Drain Source On State Resistance N Channel1600µohm
Drain Source On State Resistance P Channel1600µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins9Pins
Power Dissipation N Channel74W
Power Dissipation P Channel74W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
141A
Continuous Drain Current Id P Channel
141A
Drain Source On State Resistance P Channel
1600µohm
No. of Pins
9Pins
Power Dissipation P Channel
74W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
141A
Drain Source On State Resistance N Channel
1600µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
74W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto