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SIZ250DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 38A, 150DEG C ROHS COMPLIANT: YES
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZ250DT-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo86AK6261
Rodo à Medida42AH1982
Segmento de fita42AH1982
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.200 | $ 11.00 |
| Total Preço | $ 11.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.200 |
| 10+ | $ 1.480 |
| 25+ | $ 1.340 |
| 50+ | $ 1.200 |
| 100+ | $ 1.060 |
| 250+ | $ 0.969 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.720 |
| 6000+ | $ 0.701 |
| 12000+ | $ 0.683 |
| 18000+ | $ 0.668 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZ250DT-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo86AK6261
Rodo à Medida42AH1982
Segmento de fita42AH1982
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel38A
Continuous Drain Current Id P Channel38A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01007ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.01007ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
38A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01007ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
38A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01007ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIZ250DT-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos