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SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 61A, POWERPAIR
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZ200DT-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo81AC3511
Rodo à Medida94AC9390
Segmento de fita94AC9390
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 53 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.830 | $ 1.83 |
| Total Preço | $ 1.83 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.830 |
| 10+ | $ 1.070 |
| 25+ | $ 0.972 |
| 50+ | $ 0.873 |
| 100+ | $ 0.775 |
| 250+ | $ 0.722 |
| 500+ | $ 0.670 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.646 |
| 10000+ | $ 0.635 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZ200DT-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo81AC3511
Rodo à Medida94AC9390
Segmento de fita94AC9390
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel61A
Continuous Drain Current Id P Channel61A
Drain Source On State Resistance N Channel4500µohm
Drain Source On State Resistance P Channel4500µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
61A
Drain Source On State Resistance P Channel
4500µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
61A
Drain Source On State Resistance N Channel
4500µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIZ200DT-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos