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SIUD406ED-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 0.5A, 150DEG C, 1.25W
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| Segmento de fita | 1 | $ 0.470 | $ 0.47 |
| Total Preço | $ 0.47 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.470 |
| 50+ | $ 0.290 |
| 100+ | $ 0.184 |
| 250+ | $ 0.161 |
| 500+ | $ 0.137 |
| 1000+ | $ 0.135 |
| 2500+ | $ 0.128 |
| 5000+ | $ 0.121 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIUD406ED-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida34AH2700RL
Segmento de fita34AH2700
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance1.46ohm
On Resistance Rds(on)1.17ohm
Transistor Case StylePowerPAK 0806
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.25W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1.46ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 0806
Power Dissipation Pd
1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
1.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SIUD406ED-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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