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SISS92DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 250V, 12.3A, 150DEG C
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.020 | $ 2.02 |
| Total Preço | $ 2.02 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.020 |
| 50+ | $ 1.360 |
| 100+ | $ 0.976 |
| 250+ | $ 0.895 |
| 500+ | $ 0.814 |
| 1000+ | $ 0.761 |
| 2500+ | $ 0.727 |
| 5000+ | $ 0.693 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS92DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida99AC2832RL
Segmento de fita99AC2832
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id12.3A
On Resistance Rds(on)0.14ohm
Drain Source On State Resistance0.173ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd65.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.14ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
65.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12.3A
Drain Source On State Resistance
0.173ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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