Imprimir página
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -20V, -127.5A, 150DEG C ROHS COMPLIANT: YES
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS63DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo86AK6255
Rodo à Medida42AH1979
Segmento de fita42AH1979
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 54 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.020 | $ 10.10 |
| Total Preço | $ 10.10 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.020 |
| 10+ | $ 1.330 |
| 25+ | $ 1.200 |
| 50+ | $ 1.060 |
| 100+ | $ 0.931 |
| 250+ | $ 0.852 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.612 |
| 6000+ | $ 0.595 |
| 12000+ | $ 0.579 |
| 18000+ | $ 0.560 |
| 30000+ | $ 0.557 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS63DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo86AK6255
Rodo à Medida42AH1979
Segmento de fita42AH1979
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id127.5A
Drain Source On State Resistance2700µohm
On Resistance Rds(on)0.0022ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd65.8W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
2700µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
127.5A
On Resistance Rds(on)
0.0022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
65.8W
Power Dissipation
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISS63DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos