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SISS5623DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 60V/36.3A/POWERPAK 1212-8S
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS5623DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rodo à Medida74AK7742RL
Segmento de fita74AK7742
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.230 | $ 3.23 |
| Total Preço | $ 3.23 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.230 |
| 10+ | $ 2.180 |
| 25+ | $ 1.980 |
| 50+ | $ 1.790 |
| 100+ | $ 1.590 |
| 250+ | $ 1.460 |
| 500+ | $ 1.330 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS5623DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rodo à Medida74AK7742RL
Segmento de fita74AK7742
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id36.3A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation56.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
36.3A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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