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SISS52DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 162 A, 0.0012 ohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS52DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark42AJ0519
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 54 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 0.633 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 6000
Vários: 3000
$ 3,798.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS52DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark42AJ0519
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id162A
Drain Source On State Resistance0.0012ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
162A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Alternativas para SISS52DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto