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SISS5108DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH/100V/55.9A/POWERPAK 1212-8S
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS5108DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rodo à Medida68AK9909RL
Segmento de fita68AK9909
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
5,249 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.990 | $ 2.99 |
| Total Preço | $ 2.99 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.990 |
| 10+ | $ 2.030 |
| 25+ | $ 1.850 |
| 50+ | $ 1.660 |
| 100+ | $ 1.480 |
| 250+ | $ 1.360 |
| 500+ | $ 1.240 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS5108DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rodo à Medida68AK9909RL
Segmento de fita68AK9909
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id55.9A
Drain Source On State Resistance0.0105ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55.9A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto