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SISS50DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 45V, 108A, 150DEG C, 65.7W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS50DN-T1-GE3
Código Newark40AH5360
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.190 |
| 10+ | $ 1.450 |
| 25+ | $ 1.300 |
| 50+ | $ 1.160 |
| 100+ | $ 1.020 |
| 250+ | $ 0.932 |
| 500+ | $ 0.841 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.19
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS50DN-T1-GE3
Código Newark40AH5360
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id108A
Drain Source On State Resistance2830µohm
On Resistance Rds(on)0.00225ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd65.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
2830µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
65.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
108A
On Resistance Rds(on)
0.00225ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos