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SISS42DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 40.5A, POWERPAK 1212
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS42DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7456
Rodo à Medida56AC6579RL
Segmento de fita56AC6579
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 53 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.160 | $ 3.16 |
| Total Preço | $ 3.16 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.160 |
| 10+ | $ 2.130 |
| 25+ | $ 1.940 |
| 50+ | $ 1.740 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 1.070 |
| 10000+ | $ 1.040 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS42DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7456
Rodo à Medida56AC6579RL
Segmento de fita56AC6579
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40.5A
Drain Source On State Resistance0.0144ohm
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation57W
Power Dissipation Pd57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0144ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40.5A
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
Power Dissipation Pd
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISS42DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto