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SISS08DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 25V, 195.5A, 150DEG C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS08DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rolo completo81AC3500
Rodo à Medida99AC9588RL
Segmento de fita99AC9588
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 54 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.400 | $ 2.40 |
| Total Preço | $ 2.40 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.400 |
| 10+ | $ 1.610 |
| 25+ | $ 1.460 |
| 50+ | $ 1.300 |
| 100+ | $ 1.150 |
| 250+ | $ 1.050 |
| 500+ | $ 0.954 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.807 |
| 10000+ | $ 0.794 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS08DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rolo completo81AC3500
Rodo à Medida99AC9588RL
Segmento de fita99AC9588
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id195.5A
Drain Source On State Resistance1230µohm
On Resistance Rds(on)0.00102ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd65.7W
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
1230µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
195.5A
On Resistance Rds(on)
0.00102ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
65.7W
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISS08DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto