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SISHA10DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 30 A, 0.0037 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.150 | $ 2.15 |
| Total Preço | $ 2.15 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.150 |
| 10+ | $ 1.380 |
| 25+ | $ 1.250 |
| 50+ | $ 1.120 |
| 100+ | $ 0.988 |
| 250+ | $ 0.961 |
| 500+ | $ 0.934 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISHA10DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AH0975
Segmento de fita10AH0975
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance3700µohm
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd39W
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation39W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3700µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
39W
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISHA10DN-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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