Imprimir página
SISH892BDN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 20A, POWERPAK 1212
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISH892BDN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida37AJ9083RL
Segmento de fita37AJ9083
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
17,542 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.560 | $ 1.56 |
| Total Preço | $ 1.56 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.560 |
| 50+ | $ 1.030 |
| 100+ | $ 0.728 |
| 250+ | $ 0.663 |
| 500+ | $ 0.597 |
| 1000+ | $ 0.555 |
| 2500+ | $ 0.528 |
| 5000+ | $ 0.500 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISH892BDN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida37AJ9083RL
Segmento de fita37AJ9083
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.0304ohm
On Resistance Rds(on)0.0253ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation29W
Power Dissipation Pd29W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0304ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
29W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.0253ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
29W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISH892BDN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto