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SISH410DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 35A, 150DEG C, 52W
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.890 | $ 1.89 |
| Total Preço | $ 1.89 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.890 |
| 10+ | $ 1.260 |
| 25+ | $ 1.140 |
| 50+ | $ 1.020 |
| 100+ | $ 0.900 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.572 |
| 10000+ | $ 0.563 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISH410DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rolo completo81AC3495
Rodo à Medida99AC9583
Segmento de fita99AC9583
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.004ohm
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd52W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.004ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
52W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISH410DN-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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