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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.700 | $ 1.70 |
| Total Preço | $ 1.70 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.700 |
| 10+ | $ 1.130 |
| 25+ | $ 1.020 |
| 50+ | $ 0.907 |
| 100+ | $ 0.798 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.494 |
| 10000+ | $ 0.486 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISH129DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo59AC7449
Rodo à Medida78AC6531
Segmento de fita78AC6531
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.0114ohm
On Resistance Rds(on)0.0095ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd52.1W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation52.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0114ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.0095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
52.1W
Power Dissipation
52.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISH129DN-T1-GE3
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos