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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 26 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.690 | $ 2.69 |
| Total Preço | $ 2.69 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.690 |
| 10+ | $ 1.830 |
| 25+ | $ 1.670 |
| 50+ | $ 1.500 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.913 |
| 10000+ | $ 0.898 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISH106DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rolo completo81AC3491
Rodo à Medida99AC9579RL
Segmento de fita99AC9579
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id12.5A
On Resistance Rds(on)0.0051ohm
Drain Source On State Resistance6200µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.5W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0051ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
1.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12.5A
Drain Source On State Resistance
6200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISH106DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto

