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SISF20DN-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 52A, 150DEG C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISF20DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rolo completo42AJ0501
Rodo à Medida02AH2521RL
Segmento de fita02AH2521
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 54 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.900 | $ 2.90 |
| Total Preço | $ 2.90 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.900 |
| 50+ | $ 1.970 |
| 100+ | $ 1.440 |
| 250+ | $ 1.350 |
| 500+ | $ 1.260 |
| 1000+ | $ 1.150 |
| 2500+ | $ 1.130 |
| 5000+ | $ 1.100 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 1.010 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISF20DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rolo completo42AJ0501
Rodo à Medida02AH2521RL
Segmento de fita02AH2521
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id52A
Continuous Drain Current Id N Channel52A
Continuous Drain Current Id P Channel52A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.01ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel69.4W
Power Dissipation P Channel69.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
52A
Continuous Drain Current Id P Channel
52A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
69.4W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
52A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SISF20DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto