Imprimir página
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 40.5A, 150DEG C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISA88DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida81AC2792RL
Segmento de fita81AC2792
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
1,802 Em Estoque
48,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.040 | $ 1.04 |
| Total Preço | $ 1.04 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.040 |
| 50+ | $ 0.675 |
| 100+ | $ 0.466 |
| 250+ | $ 0.421 |
| 500+ | $ 0.376 |
| 1000+ | $ 0.347 |
| 2500+ | $ 0.328 |
| 5000+ | $ 0.308 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISA88DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida81AC2792RL
Segmento de fita81AC2792
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40.5A
Drain Source On State Resistance6700µohm
On Resistance Rds(on)0.0054ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd19.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation19.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
6700µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
19.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40.5A
On Resistance Rds(on)
0.0054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
19.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SISA88DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto