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SISA35DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 16 A, 0.019 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISA35DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark42AJ0497
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
Seu número de peça
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.506 |
| 10+ | $ 0.374 |
| 25+ | $ 0.338 |
| 50+ | $ 0.302 |
| 100+ | $ 0.264 |
| 500+ | $ 0.231 |
| 1000+ | $ 0.205 |
| 2500+ | $ 0.192 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.51
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISA35DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark42AJ0497
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation24W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
24W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Alternativas para SISA35DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos