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SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 25A, PPAK1212-8
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISA12ADN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark19X1955
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.770 |
| 10+ | $ 1.180 |
| 25+ | $ 1.060 |
| 50+ | $ 0.946 |
| 100+ | $ 0.830 |
| 500+ | $ 0.683 |
| 1000+ | $ 0.635 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISA12ADN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark19X1955
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.0043ohm
On Resistance Rds(on)0.0032ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd28W
Power Dissipation28W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
N-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for use in switch mode power supplies, personal computers and servers, telecom bricks and VRM’s and POL.
- TrenchFET® Gen IV Power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0043ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
28W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
On Resistance Rds(on)
0.0032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
28W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SISA12ADN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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