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SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, POWERPAK 1212
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS932EDN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7464
Rodo à Medida50AC9664RL
Segmento de fita50AC9664
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.960 | $ 0.96 |
| Total Preço | $ 0.96 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.960 |
| 50+ | $ 0.598 |
| 100+ | $ 0.389 |
| 250+ | $ 0.344 |
| 500+ | $ 0.299 |
| 1000+ | $ 0.270 |
| 2500+ | $ 0.251 |
| 5000+ | $ 0.232 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.312 |
| 10000+ | $ 0.294 |
| 20000+ | $ 0.278 |
| 30000+ | $ 0.264 |
| 50000+ | $ 0.255 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS932EDN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7464
Rodo à Medida50AC9664RL
Segmento de fita50AC9664
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id6A
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.018ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.018ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel23W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.018ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
23W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.018ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIS932EDN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto