Imprimir página
SIS892ADN-T1-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 28 A, 100
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS892ADN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo99W9583
Rodo à Medida63W4139RL
Segmento de fita63W4139
Seu número de peça
13,451 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.890 | $ 1.89 |
| Total Preço | $ 1.89 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.890 |
| 10+ | $ 1.260 |
| 25+ | $ 1.140 |
| 50+ | $ 1.020 |
| 100+ | $ 0.895 |
| 250+ | $ 0.818 |
| 500+ | $ 0.740 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.487 |
| 4000+ | $ 0.438 |
| 6000+ | $ 0.422 |
| 10000+ | $ 0.413 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS892ADN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo99W9583
Rodo à Medida63W4139RL
Segmento de fita63W4139
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd52W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
52W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SIS892ADN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto